厚度对ZnS薄膜结构和应力的影响

关 键 词:膜结构
资料等级:厚度对ZnS薄膜结构和应力的影响
发布时间:2015-8-26
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资料编辑:tianmengping91
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资料简介
厚度对ZnS薄膜结构和应力的影响 ZnS是II~VI族宽禁带电子过剩的本征半导体,其禁带宽度为3.7 eVL川。ZnS具有闪锌矿型(立方晶型)和纤锌矿型(六面体型)2种结构,常用于发光材料的ZnS为闪锌矿型 J。ZnS作为一种重要的化合物半导体材料,具有优良的光电性能,广泛应用于各种光学和光电器件中,如红外光学窗口材料、平板显示器、发光二极管及太阳能电池等领域 J。
编辑评价
用射频磁控溅射法在单晶Si基片上制备了4种不同厚度的ZnS膜,采用XRD和光学干涉相移法对薄膜的微结构和应力进行研究。结构分析表明,不同厚度的ZnS膜均呈多晶状态,并有明显的(220)晶面择优取向,晶体结构为立方晶型(闪锌矿)结构;随着薄膜厚度的增加,平均晶粒尺寸随之增大;薄膜的晶格常数在不同厚度下均比标准值稍大。应力分析表明,随着膜厚的增加,ZnS膜的应力差减小,在厚度为768 nlTi时的选区范围内应力差最小,应力分布较均匀。
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