基于SiGe HBT的射频有源电感的设计

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资料等级:基于SiGe HBT的射频有源电感的设计
发布时间:2014-7-24
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资料简介
                          基于SiGe HBT的射频有源电感的设计
电感在射频单片集成电路中具有重要作用,主要具备阻抗转换、谐振、反馈、滤波等功能。随着无线通信技术的迅速发展,电子产品越来越向高速化、微型化,便携化方向发展。由于无源电感占据了射频集成电路大部分的芯片面积,所以如何减小片上无源电感的面积成为现在人们亟待解决的难题。研究得比较多的集成电感的主要是金属互连线电感,但其具有占有芯片面积大、品质因数Q低等缺点]。因此,采用占面积小的有源电感代替无源电感,是满足射频单片集成电路的途径之一。
编辑评价
基于回转器原理,提出利用两个SiGe异质结晶体管,通过采用不同组态构成四种射频有源电感,其中包括两种正电感和两种负电感,并对它们的性能进行了比较。结果表明,共射组态与共集组态构成的有源电感的性能最优异,并就此做了详细讨论。在带宽为1~15.8 GHz的范围内,其电感值可以达到1 nH以上,电感的品质因数最大值达到75.4。通过调节晶体管的偏置电压,有源电感的电感峰值在1.268 nH~1.914 nH范围内变化。电感值的可调谐性对增强电路设计的可复用性及灵活性具有现实意义。
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