SiGeHBT基区结构的优化对欧拉电压的影响

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资料等级:SiGeHBT基区结构的优化对欧拉电压的影响
发布时间:2019-3-6
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SiGeHBT基区结构的优化对欧拉电压的影响 SiGe HBT因其优异的高频性能和较低的成本优势,逐渐应用于微波电路领域。电流增益 和欧拉电压VA(Early Voltage)的乘积对于微波应用是一项重要的参数。如何通过工艺和基区材料的调整来优化欧拉电压 ,已成为器件能否在微波下正常工作的主要保证。对于硅BJT,欧拉电压主要与基区宽变效应有关,受基区掺杂的影响较大。但在SiGe HBT中则不同,由于基区的掺杂较高,一般到19次方, 基本上不受这一项的影响。Prinz和Sturm最早介绍了SiGe HBT中Ge组分对 乘积的影响Eli。他们认为, 主要受基区与集电区交界处的Ge组分影响,BC结界面的Ge组分越高,的值越大。
编辑评价
欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得 =520 V, :=:164,320 V的SiGe HBT。
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